GSM3170是用於開關應用的金半氧場效電晶體，具有低導通電阻。

GSM3170Z/GSM3170X

低RDS(ON)

低漏源導通電阻 (RDS(ON)_MAX = 7.5mΩ @ VIN = 10V)。

高汲極電流

高持續漏極電流（ID = 70A @ TA= 25℃）。

3.3 x 3.3 毫米佔用空間

佔地面積小，可最大限度地減少熱阻，從而在多個乙太網端口上實現更高的功率密度。