2021-08-31
GSM3251E是30V P通道金半氧场效电晶体提供具有改进性能的 ESD 保护。

良好的通态电阻

良好的漏源导通电阻 (RDS(ON)_MAX = 50mΩ @ VIN = 10V)。

 

ESD保护

在典型条件下,有源钳位电路可保护嵌入式 MOSFET 和外部负载,以防止电压 >20V。

此外,输入钳位二极管可将 MOSFET 的内部栅极和保护电路保护至 1kV。

 

SOT-23封装

具有良好热性能的封装是所有商业工业表面贴装应用的广泛首选。