GSM3170是用于开关应用的金半氧场效电晶体，具有低导通电阻。

GSM3170Z/GSM3170X

低RDS(ON)

低漏源导通电阻 (RDS(ON)_MAX = 7.5mΩ @ VIN = 10V)。

高汲极电流

高持续漏极电流（ID = 70A @ TA= 25℃）。

3.3 x 3.3 毫米占用空间

占地面积小，可最大限度地减少热阻，从而在多个乙太网端口上实现更高的功率密度。